B
Biggan.me
বিজ্ঞান ও গণিত ক্যালকুলেটর
🌐English
⚗️
এইচএসসি (একাদশ-দ্বাদশ)বিষয় কোড: HSC 176 & 177

রসায়ন

Chemistry

গুণগত রসায়ন, মৌলের পর্যায়বৃত্ত ধর্ম, রাসায়নিক পরিবর্তন (pH ও বাফার), জারণ-বিজারণ ও পরিমাণগত রসায়ন।

অন্তর্ভুক্ত অধ্যায়6টি অধ্যায়
বোর্ড পরীক্ষা মান১০০ নম্বর
সৃজনশীল (CQ)৫০ / ৭০ নম্বর
কারিকুলাম বোর্ডNCTB বাংলাদেশ

📚 অধ্যায়ভিত্তিক পূর্ণাঙ্গ বিশ্লেষণ ও সিলেবাস

মোট 6টি অধ্যায়
অধ্যায় 2১ম পত্র

গুণগত রসায়ন

Qualitative Chemistry

CQ: ১০ নম্বর (১টি CQ)MCQ: ৪-৫ নম্বর

পরমাণুর গঠন, কোয়ান্টাম সংখ্যা, অফবাউ ও হুন্ডের নীতি, দ্রাব্যতা ও দ্রাব্যতা গুণফল (Ksp), এবং বর্ণালী বিশ্লেষণ।

গুরুত্বপূর্ণ বিষয়বস্তু (Key Topics):
• ৪টি কোয়ান্টাম সংখ্যা• অফবাউ ও পাউলির বর্জন নীতি• দ্রাব্যতা গুণফল (Ksp) ও অধঃক্ষেপণ• হাইড্রোজেন পরমাণুর বর্ণালী
মূল গাণিতিক সূত্রাবলী ও সমীকরণ (KaTeX):
রিডবার্গ সমীকরণRydberg Formula
1λ=RH(1n12−1n22)\frac{1}{\lambda} = R_H \left( \frac{1}{n_1^2} - \frac{1}{n_2^2} \right)
দ্রাব্যতা গুণফল (Ksp)Solubility Product
Ksp=[Ay+]x[Bx−]yK_{sp} = [A^{y+}]^x [B^{x-}]^y
অধ্যায় 3১ম পত্র

মৌলের পর্যায়বৃত্ত ধর্ম ও রাসায়নিক বন্ধন

Periodic Properties & Chemical Bonding

CQ: ১০ নম্বর (১টি CQ)MCQ: ৪-৫ নম্বর

ইলেকট্রন বিন্যাস ভিত্তিক পর্যায় সারণী, আয়নিকরণ শক্তি, তড়িৎ ঋণাত্মকতা, সংকরায়ন (Hybridization), এবং ভেসপার তত্ত্ব।

গুরুত্বপূর্ণ বিষয়বস্তু (Key Topics):
• আয়নিকরণ শক্তি ও ইলেকট্রন আসক্তি• সংকরায়ন (sp, sp2, sp3, dsp3)• অণুর আকৃতি ও বন্ধন কোণ (VSEPR)• হাইড্রোজেন বন্ধন
সংশ্লিষ্ট ব্যবহারিক ল্যাব ও সিমুলেটর
🧪পর্যায় সারণি সিমুলেটর
অধ্যায় 3২য় পত্র

পরিমাণগত রসায়ন (জারণ-বিজারণ ও টাইট্রেশন)

Quantitative Chemistry & Redox

CQ: ১০-১৫ নম্বর (১-২টি CQ)MCQ: ৫ নম্বর

মোল ধারণা, মোলার দ্রবণ, আয়ন-ইলেকট্রন পদ্ধতিতে জারণ-বিজারণ সমতা, টাইট্রেশন ও জারণমিতি (KMnO4, K2Cr2O7)।

গুরুত্বপূর্ণ বিষয়বস্তু (Key Topics):
• আয়ন-ইলেকট্রন পদ্ধতিতে সমতা• অম্লীয় ও ক্ষারীয় মাধ্যমে টাইট্রেশন• মোলার দ্রবণ প্রস্তুতি ও পিপিএম (ppm)• কেলাস পানির মোলার ভর
মূল গাণিতিক সূত্রাবলী ও সমীকরণ (KaTeX):
দ্রবণের ঘনমাত্রা সূত্রMolarity Equation
S=1000×WM×V(mL)S = \frac{1000 \times W}{M \times V (\text{mL})}
টাইট্রেশন সূত্রTitration Equivalence
V1S1e1=V2S2e2V_1 S_1 e_1 = V_2 S_2 e_2
এসিড-ক্ষার ও রেডক্স টাইট্রেশন সমতাTitration Equivalence Formula
VA⋅SA⋅eA=VB⋅SB⋅eBV_A \cdot S_A \cdot e_A = V_B \cdot S_B \cdot e_B

প্রশমন বা জারণ-বিজারণ টাইট্রেশনে পূর্ণ প্রশমনের শর্ত, যেখানে e হলো তুল্য সংখ্যা (যেমন H2SO4-এর জন্য e=2, KMnO4-এর অম্লীয় মাধ্যমে e=5)।

সংশ্লিষ্ট ব্যবহারিক ল্যাব ও সিমুলেটর
⚡আয়ন-ইলেকট্রন সমতা ইঞ্জিন⚖️মোলার ভর বিশ্লেষক
অধ্যায় 1২য় পত্র

পরিবেশ রসায়ন

Environmental Chemistry (Gas Laws)

CQ: ১০ নম্বর (১টি CQ)MCQ: ৪ নম্বর

বয়েল, চার্লস ও অ্যাভোগাড্রো সূত্র, সমন্বিত গ্যাস সমীকরণ, ডাল্টনের আংশিক চাপ, গ্রাহামের ব্যাপন সূত্র এবং ভ্যান ডার ওয়ালস সমীকরণ।

গুরুত্বপূর্ণ বিষয়বস্তু (Key Topics):
• বয়েল ও চার্লসের সমন্বিত সূত্র• ডাল্টনের আংশিক চাপ ও মোল ভগ্নাংশ• গ্রাহামের ব্যাপন সূত্র ও আণবিক ভর• বাস্তব গ্যাস ও ভ্যান ডার ওয়ালস সমীকরণ• গ্রিনহাউস গ্যাস ও এসিড বৃষ্টি
মূল গাণিতিক সূত্রাবলী ও সমীকরণ (KaTeX):
সমন্বিত গ্যাস সূত্রCombined Gas Law
P1V1T1=P2V2T2\frac{P_1 V_1}{T_1} = \frac{P_2 V_2}{T_2}

স্থির ভরের যেকোনো গ্যাসের চাপ, আয়তন এবং পরম তাপমাত্রার যুগপৎ পরিবর্তনের সমন্বিত সমীকরণ।

গ্যাস ঘনত্ব সমীকরণIdeal Gas Density Equation
PM=ρRT  ⟹  ρ=PMRTPM = \rho RT \implies \rho = \frac{PM}{RT}

আদর্শ গ্যাসের আণবিক ভর M এবং ঘনত্বের ρ সরাসরি সম্পর্ক। উচ্চ চাপে গ্যাসের ঘনত্ব বৃদ্ধি পায়।

ডাল্টনের আংশিক চাপ সূত্রDalton's Law of Partial Pressures
Ptotal=pA+pB+pC,pi=xi⋅Ptotal=nintotalPtotalP_{\text{total}} = p_A + p_B + p_C, \quad p_i = x_i \cdot P_{\text{total}} = \frac{n_i}{n_{\text{total}}} P_{\text{total}}

পরস্পর বিক্রিয়াহীন গ্যাস মিশ্রণের মোট চাপ উপাদান গ্যাসসমূহের আংশিক চাপের সমষ্টির সমান। উপাদান চাপ = মোল ভগ্নাংশ × মোট চাপ।

গ্রাহামের গ্যাস ব্যাপন সূত্রGraham's Law of Diffusion
r1r2=M2M1=ρ2ρ1=t2t1\frac{r_1}{r_2} = \sqrt{\frac{M_2}{M_1}} = \sqrt{\frac{\rho_2}{\rho_1}} = \frac{t_2}{t_1}

স্থির তাপমাত্রা ও চাপে গ্যাসের ব্যাপন হার তার আণবিক ভর বা ঘনত্বের বর্গমূলের ব্যস্তানুপাতিক। ভারী গ্যাস ধীরে ব্যাপিত হয়।

ভ্যান ডার ওয়ালস বাস্তব গ্যাস সমীকরণVan der Waals Real Gas Equation
(P+an2V2)(V−nb)=nRT\left(P + \frac{an^2}{V^2}\right)(V - nb) = nRT

আণবিক আকর্ষণ বলজনিত চাপ সংশোধন (an^2/V^2) এবং অণুসমূহের নিজস্ব আয়তন সংশোধন (nb) যুক্ত বাস্তব গ্যাস সমীকরণ।

অধ্যায় 4১ম পত্র

রাসায়নিক পরিবর্তন ও সাম্যাবস্থা

Chemical Changes & Equilibrium

CQ: ১০-১৫ নম্বর (১-২টি CQ)MCQ: ৪-৫ নম্বর

রাসায়নিক বিক্রিয়ার গতিবেগ, লা-শাতেলিয়ের নীতি, সাম্যধ্রুবক Kp ও Kc, অসওয়াল্ডের লঘুকরণ সূত্র, বাফার দ্রবণ এবং আরহেনিয়াস সমীকরণ।

গুরুত্বপূর্ণ বিষয়বস্তু (Key Topics):
• ভরক্রিয়া সূত্র ও Kp, Kc রাশিমালা• Kp ও Kc-এর সম্পর্ক Kp = Kc(RT)^Δn• হ্যান্ডারসন-হ্যাসেলবালখ সমীকরণ• বাফার ক্রিয়া কৌশল• আরহেনিয়াসের সক্রিয়করণ শক্তি
মূল গাণিতিক সূত্রাবলী ও সমীকরণ (KaTeX):
ভরক্রিয়া সূত্র ও সাম্যধ্রুবক (Kp ও Kc)Equilibrium Constants (Kp & Kc)
aA+bB⇌cC+dD  ⟹  Kc=[C]c[D]d[A]a[B]b,Kp=pCc⋅pDdpAa⋅pBbaA + bB \rightleftharpoons cC + dD \implies K_c = \frac{[C]^c [D]^d}{[A]^a [B]^b}, \quad K_p = \frac{p_C^c \cdot p_D^d}{p_A^a \cdot p_B^b}

সাম্যাবস্থায় উৎপাদের সক্রিয় ভরের গুণফল এবং বিক্রিয়কের সক্রিয় ভরের গুণফলের অনুপাত একটি নির্দিষ্ট তাপমাত্রায় ধ্রুব থাকে।

Kp ও Kc-এর সম্পর্কRelation Between Kp and Kc
Kp=Kc(RT)Δn,Δn=(c+d)−(a+b)K_p = K_c (RT)^{\Delta n}, \quad \Delta n = (c+d) - (a+b)

Δn হলো গ্যাসীয় উৎপাদ এবং গ্যাসীয় বিক্রিয়কের মোল সংখ্যার পার্থক্য। Δn = 0 হলে Kp = Kc হয়।

অসওয়াল্ডের লঘুকরণ সূত্রOstwald's Dilution Law
Ka=α2C1−α≈α2C  ⟹  α=KaCK_a = \frac{\alpha^2 C}{1 - \alpha} \approx \alpha^2 C \implies \alpha = \sqrt{\frac{K_a}{C}}

মৃদু এসিডের বিয়োজন মাত্রা α দ্রবণের মোলার ঘনমাত্রার C বর্গমূলের ব্যস্তানুপাতিক (যখন α << 1)।

হ্যান্ডারসন-হ্যাসেলবালখ অম্লীয় বাফার সমীকরণHenderson-Hasselbalch (Acidic Buffer)
pH=pKa+log⁡10[লবণ / Salt][অম্ল / Acid]\text{pH} = \text{pK}_a + \log_{10}\frac{[\text{লবণ / Salt}]}{[\text{অম্ল / Acid}]}

মৃদু অম্ল ও তার তীব্র ক্ষারের লবণের বাফার দ্রবণের কাঙ্ক্ষিত pH নির্ণয়ের সমীকরণ।

হ্যান্ডারসন-হ্যাসেলবালখ ক্ষারীয় বাফার সমীকরণHenderson-Hasselbalch (Basic Buffer)
pOH=pKb+log⁡10[লবণ / Salt][ক্ষার / Base],pH=14−pOH\text{pOH} = \text{pK}_b + \log_{10}\frac{[\text{লবণ / Salt}]}{[\text{ক্ষার / Base}]}, \quad \text{pH} = 14 - \text{pOH}

মৃদু ক্ষার ও তার তীব্র অম্লের লবণের বাফার দ্রবণের pOH ও pH নির্ণয়ের সমীকরণ।

আরহেনিয়াসের সক্রিয়করণ শক্তি সমীকরণArrhenius Equation for Activation Energy
k=Ae−Ea/RT  ⟹  ln⁡(k2k1)=EaR(1T1−1T2)k = A e^{-E_a / RT} \implies \ln\left(\frac{k_2}{k_1}\right) = \frac{E_a}{R}\left(\frac{1}{T_1} - \frac{1}{T_2}\right)

বিক্রিয়ার হার ধ্রুবক k-এর উপর তাপমাত্রার প্রভাব এবং সক্রিয়করণ শক্তি Ea নির্ণয়ের সমীকরণ।

সংশ্লিষ্ট ব্যবহারিক ল্যাব ও সিমুলেটর
⚗️রসায়ন ক্যালকুলেটর
অধ্যায় 4২য় পত্র

তড়িৎ রসায়ন

Electrochemistry

CQ: ১০ নম্বর (১টি CQ)MCQ: ৪ নম্বর

তড়িৎ পরিবাহী, ফ্যারাডের তড়িৎ বিশ্লেষণ সূত্র, প্রমাণ তড়িৎদ্বার বিভব, গ্যালভানিক কোষ, নার্নস্ট সমীকরণ এবং কোষ বিভব।

গুরুত্বপূর্ণ বিষয়বস্তু (Key Topics):
• ফ্যারাডের ১ম সূত্র ও তড়িৎ রাসায়নিক তুল্যাঙ্ক Z• কোষ বিভব E°cell = E°cathode - E°anode• নার্নস্ট সমীকরণ ও তড়িৎ প্রবাহ• লেড-এসিড ও লিথিয়াম-আয়ন ব্যাটারি
মূল গাণিতিক সূত্রাবলী ও সমীকরণ (KaTeX):
ফ্যারাডের তড়িৎ বিশ্লেষণের প্রথম সূত্রFaraday's First Law of Electrolysis
W=Z⋅I⋅t=Me⋅F⋅I⋅t=M⋅Qn⋅96500W = Z \cdot I \cdot t = \frac{M}{e \cdot F} \cdot I \cdot t = \frac{M \cdot Q}{n \cdot 96500}

তড়িৎদ্বারে সঞ্চিত বা দ্রবীভূত পদার্থের ভর W প্রবাহিত তড়িৎ চার্জের সমানুপাতিক। ফ্যারাডে ধ্রুবক F = 96,500 C mol^-1।

প্রমাণ গ্যালভানিক কোষের তড়িৎচালক বলStandard Cell Potential (EMF)
Ecell∘=Ecathode (red)∘−Eanode (red)∘E_{\text{cell}}^\circ = E_{\text{cathode (red)}}^\circ - E_{\text{anode (red)}}^\circ

ক্যাথোডের প্রমাণ বিজারণ বিভব থেকে অ্যানোডের প্রমাণ বিজারণ বিভব বিয়োগ করে স্বতঃস্ফূর্ত কোষের বিভব নির্ণয়।

নার্নস্ট সমীকরণ (কোষ বিভব)Nernst Equation for Cell Potential
E=E∘−2.303RTnFlog⁡10Q=E∘−0.0592nlog⁡10[Products][Reactants]E = E^\circ - \frac{2.303 RT}{nF}\log_{10} Q = E^\circ - \frac{0.0592}{n}\log_{10}\frac{[\text{Products}]}{[\text{Reactants}]}

অ-প্রমাণ ঘনমাত্রায় (25°C তাপমাত্রায়) তড়িৎদ্বার বা পূর্ণ কোষের বিভব নির্ণয়ের সমীকরণ।

কোষ বিভব ও গিবস মুক্ত শক্তিCell Potential & Gibbs Free Energy
ΔG∘=−nFE∘=−RTln⁡K\Delta G^\circ = -n F E^\circ = -RT \ln K

স্বতঃস্ফূর্ত কোষ বিক্রিয়ায় ΔG° ঋণাত্মক হলে E°cell ধনাত্মক হয়। সাম্যধ্রুবক K-এর সাথে মুক্ত শক্তির সরাসরি সম্পর্ক।

💡 রসায়ন বোর্ড পরীক্ষার পূর্ণাঙ্গ প্রস্তুতি কৌশল

সৃজনশীল (CQ) উত্তরের জন্য:

• প্রতিটি গাণিতিক সমস্যার শুরুতে প্রদত্ত উপাত্ত ও সংকেত সুন্দরভাবে লিখবে।

• মূল সমীকরণটি লিখে একক রূপান্তর (যেমন: cm থেকে m) স্পষ্ট দেখাবে।

• উত্তরের শেষে অবশ্যই আন্তর্জাতিক সঠিক একক (SI Unit) উল্লেখ করবে।

নৈর্ব্যক্তিক (MCQ) ও ক্যালকুলেটর কৌশল:

• কাসিও fx-991EX বা fx-991CW ব্যবহার করে সমীকরণ সমাধান ও ভেক্টর হিসাব কয়েক সেকেন্ডে শেষ করার অভ্যাস করবে।

• এককবিহীন ধ্রুবক ও গ্রাফভিত্তিক প্রশ্নগুলো আলাদা নোট করে রাখবে।

• আমাদের বিগ্গান.মি সিমুলেটরে মান পরিবর্তন করে বাস্তব দৃশ্যপট কল্পনা করার অনুশীলন করবে।